Радиационно-стойкий LDO ISL75052SEH Intersil

Параметры:

• Напряжение питания 4 – 13.2 В
• ±1.5% точность Vвых.
• Ультранизкое потребление:
  400 мВ при 1.5 A
  160 мВ при 0.5 A

Особенности:

Стойкость к одиночным событиям

• SEL и SEB LETTH ……………………………………………………. 86 MэВ×см2/мг
• SEFI LETTH ……………………………………………………………… 60 MэВ×см2/мг
• SET LETTH ……………………………………………………………….. 86 MэВ×см2/мг

Стойкость к суммарной дозе радиации

• Суммарная доза, при высокой интенсивности ……. 100 крад (Si)
• Суммарная доза, при низкой интенсивности………. 100 крад (Si)