ISL73024SEH — силовой GaN транзистор

• Напряжение пробоя: 200 В
• Ток коммутации: 7.5 А
• Сопротивление открытого канала Rds (on): 45 мΩ
• Общий заряд затвора: 2.5 нКл
• Диапазон рабочих температур: -55 °C … +125 °C
• Стойкость по накопленной дозе (LDR 0.01 рад (Si)/с): 75 крад (Si)
• Стойкость к воздействию ТЗЧ: 86 МэВ * см²/мг
• Компактный SMD корпус общей площадью 42 мм²

Datasheet