GaN-приборы для космических и высоконадёжных применений от Microsemi

Microsemi в партнёрстве с EPC (Effi cient Power Conversion Corporation) разрабатывает GaN-приборы для космических и высоконадёжных применений, как более продвинутую альтернативу используемым сегодня герметичным МОП-транзисторам.

• Кристалл Flip Chip
• Очень миниатюрный размер
• Высокий КПД
• Награда «Продукт Года» журнала Electronics Products Magazine

PART NO.	VOLTAGE	CURRENT	PEAK	RDS(ON) (mΩ)	Qg (nC)	FOM-Qg * Rds(on)	Запросить
MGN2915U4A	40 В	33 A	150 A	4	11.6	46.4
MGN2914U4A	40 В	10 A	40 A	16	3	48
MGN2905U4A	60 В	25 A	100 A	7	10	70
MGN2909U4A	60 В	6 A	25 A	30	2.4	72
MGN2901U4A	100 В	25 A	100 A	7	10.5	73.5
MGN2907U4A	100 В	6 A	25 A	30	2.7	81
MGN2911U4A	150 В	12 A	40 A	25	6.7	167.5
MGN2913U4A	150 В	3 A	12 A	100	1.7	170
MGN2910U4A	200 В	12 A	40 A	25	7.5	187.5
MGN2912U4A	200 В	3 A	12 A	100	1.9	190

Основные преимущества:

• Среднее Rds(on) ниже, чем у Si: 1.47 против 1.7
• Управление логическим уровнем
  Управление затвором +5 В
  Vgsmax = 6.0 В
• Малый размер кристалла — гораздо меньшие корпуса
  Больше плотность мощности при высокочастотном переключении
• Радстойкие высоконадёжные продукты в разработке
  Испытания на ТЗЧ показывают очень хорошие результаты
  TID, ELDRS характеристики в процессе
  Особо низкая паразитная ёмкость в корпусе U4A
  Значительное снижение потерь на переключение
  Особо низкий подзатворный заряд