Для отправки запроса на образцы или получение коммерческого предложения

Отметьте галочками необходимые позиции и нажмите кнопку «Заказать образцы»

Производитель: Категория:

N-канальный радиационно-стойкий компонент VDMOS

Партномер Радстойкость Основные функции Тип корпуса Совместимая модель даташит
BCS7479U3RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>30V, Id=22A, Rds (on) ≤0.02Ω SMD-0.5 IRHNJ57Z30
BCS7478T1RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>30V, Id=45A, Rds (on) ≤0.0055Ω TO-254 IRHMS57Z60
BCS100N6T1RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>60V, Id=40A, Rds (on) ≤0.0135Ω TO-254 STRH100N6
BCS7470T1RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>60V, Id=45A, Rds (on) ≤0.0066Ω TO-254 IRHMS57064
BCS0680U2RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>60V, Id=80A, Rds (on)≤0.0065Ω TO-254 BUY06CS80A-01
BCS7110T2RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss> 100V, Id=3.5A, Rds (on)≤0.6Ω TO-39 IRHF7110
BCS7587U3RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss> 100V, Id=22A, Rds (on) ≤0.042Ω SMD-0.5 IRHNJ67130SCS
BCS7591T3RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>200V, Id=16A, RDs (on) ≤0.13Ω TO-257 IRHYS6S7230CMSCS
BCS7591U3RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>200V, Id=16A, RDs (on) ≤0.13Ω SMD-0.5 IRHNJ67230SCS
BCS7269T1RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>200V, Id=26A, Rds (on)≤0.1Ω TO-254 JANSR2N7269
BCS7269U1RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>200V, Id=26A, Rds (on) ≤0.1Ω SMD-1 JANSR2N7269U
BCS7583U2RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>200V, Id=56A, Rds (on) ≤0.028Ω SMD-2 IRHNA67260
BCS2512U3RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss >250V.  Id=12.4A. Rds (on) ≤0.13Ω SMD-0.5 BUY25CS12J-01
BCS7434T1RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss >250V.  Id =31 A.Rds (on) ≤0.11Ω TO-254 JANSR2N7434
BCS2545T1RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>250V, Id=45A, Rds (on) ≤0.05Ω TO-254 BUY25CS45B-01
BCS7586U2RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>250V, Id=50A, Rds (on)≤0.04Ω SMD-2 IRHNA67264
BCS6743U3RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>550V, Id=3.1A, Rds (on) ≤2.9Ω SMD-0.5 IRHNJ67434

P-канальный радиационно-стойкий компонент VDMOS

Партномер Радстойкость Основные функции Тип корпуса Совместимая модель даташит
BCS7389T1RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>-100V, Id=-6.5A, Rds (on) ≤0.3Ω TO-254 IRHE9130
BCS7422T1RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>-100V, Id=-22A, Rds (on) ≤0.08Ω TO-254 JANSR2N7422
BCS7426T1RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>-200V, Id=-27A, Rds (on) ≤0.16Ω TO-254 JANSR2N7426
BCS40P10T1RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>-100V, Id=-34A, Rds (on) ≤O.O75Ω TO-254 STRH40P10HYG
BCS7549T1RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>-200V, Id=-30A, Rds (on) ≤O.1O3Ω TO-254 IRHMS597260
BCS7550U2RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss>-100V, Id=-47A, Rds (on) ≤O.O49Ω SMD-2 IRHNA597160

Радиационно-стойкая матрица VDMOS

Партномер Радстойкость Основные функции Тип корпуса Совместимая модель даташит
BCS01FL10DR TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг N-Канал:BVdss>100V, Id=1 A, Rds (on)  ≤O.6Ω                                                                                       P-Канал BVdss> -100V, Id=-0.75A, Rds (on) ≤1.1Ω DIP 14 IRHG6110
BCS7334RH TID>100крад(Si) SEE>75МЭВсм2/мг BVdss> 100V, Id=1 A, Rds (on) ≤O.6Ω DIP 14 2N7334