Биполярные транзисторы

Транзисторы биполярные XMTI

Для отправки запроса на образцы или получение коммерческого предложения

Отметьте галочками необходимые позиции и нажмите кнопку «Заказать образцы»

Производитель: XMTI Категория: Транзиторы биполярные

Описание

NPN-биполярные транзисторы

PNP-биполярные транзисторы

Радстойкие NPN-биполярные транзисторы

Радстойкие PNP-биполярные транзисторы

NPN-биполярные транзисторы

Партномер	P_tot, Вт	I_СМ, A	V_CEO, В	V_EBO, В	V_CE(sat), В	V_BE(sat), В	I_CEO, мкА	h_FE	V_CE, В	I_C, мА	Корпус	Аналог	Даташит
2SD526	30	4	80	5	1.7	—	0.5	130 — 150	5	50	—	—
3DK4	0.7	0.8	45	4	0.5	1.1	0.15	85 — 125	5	100	—	—
LMJ11016	150	30	120	—	4	5	1	≥1000	5	2000	—	MJ11016
2N2222A	0.5	0.8	40	6	1	2	0.01	120 — 160	10	150	UB	—
3DG130B	0.7	0.3	80	4	0.6	1	1	80 — 120	5	50	—	—
3DK071	0.5	0.3	35	5	0.3	1	0.1	90 — 130	5	100	—	—
3DG182D	0.7	0.3	220	4	1	1.2	10	80 — 130	5	60	—	—
3DK28	0.7	0.02	40	7 — 8.5	0.3	0.6 — 0 .8	0.5	60 — 130	5	10	—	—
3F11	0.5	0.5	30	5	0.3	1	0.25	100 — 250	10	5	—	—
3DK40	225	15	200	5	0.8	1.5	1.0 мA	45 — 65	3	7.5 A	—	—
3DK8	0.5	0.2	35	—	0.4	0.85	0.5	80 — 150	5	20	—	—
DK51	50	10	140	5	0.7	—	1	80 — 170	5	1A	—	—
3DK7	0.3	0.05	45	4	0.5	—	0.1	80 — 130	10	10	—	—
3DG111B	0.3	0.05	30	4	0.35	1	0.1	40 — 180	10	10	—	—
2SC2719	0.6	0.3	80	5	0.6	—	5	130 — 160	5	50	—	—
LPC100	0.125	—	100	5	0.7	—	1	130 — 270	5	10	—	—
3DA20035	1	2	320	6	1	1.2	2	25 — 75	2	100	—	—

PNP-биполярные транзисторы

Партномер	P_tot, Вт	I_СМ, A	V_CEO, В	V_EBO, В	V_CE(sat), В	V_BE(sat), В	I_CEO, мкА	h_FE	V_CE, В	I_C, мА	Корпус	Даташит
3CK10	0.84	1	75	4	1	1.5	0.1	80 — 180	6	100	TO-39a
3CG180	0.7	0.1	220	4	0.8	1	1	80 — 250	10	20	—
3CK2E	0.3	0.05	35	5	0.3	0.9	0.1	50 — 150	1	10	—
2N2907A	0.5	0.6	60	5	0.4	0.6 — 1.3	0.05	100 — 300	10	150	—
2SA1152	0.6	0.3	80	4	0.6	—	5	100 — 160	5	50	—
3CK110	0.3	0.05	45	4	0.3	0.95	0.2	60 — 100	3	30	—
3CA783	5	0.6	80	5	0.4	—	10	80 — 120	5	100	—
3CK5F	5	1.5	75	6	0.8	—	30	130 — 160	5	100	—
3CG317	0.7	0.3	180	4	1	—	1	80 — 200	5	60	—
3CG110C	0.3	0.05	45	4	0.5	—	0.1	80 — 130	10	10	—
2SB596	30	4	80	5	0.8	—	0.5	100 — 160	5	50	—
3CK3F	0.5	0.2	35	5	0.5	1.1	0.5	90 — 150	1	50	—

Радстойкие NPN-биполярные транзисторы

Партномер	P_tot, Вт	I_СМ, A	V_CEO, В	V_EBO, В	V_CE(sat), В	V_BE(sat), В	I_CEO, мкА	h_FE	V_CE, В	I_C, мА	Корпус	Аналог	Даташит
3DG3501	1	0.3	150	6	0.4	1.2	1	100 — 300	10	150	TO-39a	2N3501
3DG3500	1	0.3	150	6	0.4	1.2	1	40 — 120	10	150	TO-39a	2N3500
3DK2222AUB	0.5	0.8	50	6	1	2	0.05	100 — 300	10	150	UB	2N2222AUB
3DG5154U3	1	2	80	5.5	1.5	2.2	50	70 — 200	5	2500	SMD-0.5	2N5154U3
3DG3700AUB	0.5	1	80	5	0.5	11	10	20 — 300	10	50	UB	2N3700
3DA5667T2RH*	1.2	5	300	6	0.4	1.2	—	25 — 75	5	1000	TO-39a	2N5667
3DG111*	0.3	0.05	45	5	0.3	0.9	0.1	25 — 250	10	10	A3-01BF	—
3DG122*	0.5	0.1	45	5	0.5	1	0.2	40 — 240	10	30	A3-02B	—
3DG130*	0.7	0.3	45	5	0.6	1	1	25 — 270	10	50	A3-02B	—
3DK103*	0.3	0.05	45	5	0.3	0.9	0.1	40 — 200	10	30	A3-01BF/UB	—
3DK104*	0.7	0.4	80	5	0.5	1	1	40 — 200	3	50	A3-02B/SM52	—
3DG2920*	0.3	0.2	60	5	0.35	0.5	0.1	>50	5	1	LCC6	2N2920
3DK3439*	0.8	1	350	7	0.5	1.3	2	40 — 160	10	20	A3-02B	2N3439
3DK104F	0.5	0.75	200	5	0.7	1	10	15-200	5	750	SMD-0.2	—
3DA20035	1	2	320	6	1	1.2	2	25-75	2	100	—	—

Радстойкие PNP-биполярные транзисторы

Партномер	P_tot, Вт	I_СМ, A	V_CEO, В	V_EBO, В	V_CE(sat), В	V_BE(sat), В	I_CEO, мкА	h_FE	V_CE, В	I_C, мА	Корпус	Аналог	Даташит
L2N2907AUB	0.5	0.6	60	5	1.6	2.6	0.05	100 — 300	10	150	UB	2N2907AUB
3CK3868	1	3	60	4	1.5	2	1	30 — 150	2	1500	TO -39a	2N3868
3CA4931	1	0.2	250	5	1.2	1.2	—	50 — 200	10	30	TO -39a	2N4931
3CK5415	0.75	1	200	6	2	—	50	30 — 120	10	50	TO -39a	2N5415
3CG3637UB*	1	1	175	5	0.6	0.9	10	100 — 300	10	50	UB	2N3637
3CG3810*	0.35	0.05	60	5	0.25	0.8	0.01	>250	5	10	LCC6	2N3810
3CG130*	0.7	0.3	20 — 75	—	0.6	1	0.1	—	—	—	SMD-0.2	2N3637
3CK2905*	0.8	0.6	60	—	0.2	0.8	—	20 — 450	—	—	SMD-0.2	2N2905

* — В разработке