Мощные транзисторы Microsemi

По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов.

Области рынка

Область применения

Лучшие продукты

Основное преимущество

Авионика

Передатчики системы идентификации «свой-чужой», дальномеры, Азимутально-дальномерная радиосистема ближней навигации (TACAN), система предупреждения столкновения самолётов в воздухе (TCAS), передача данных, транспондеры, системы навигации

Биполярные: 1030-1090 МГц 1400 Вт

GaN: 1030-1090 МГц 750 Вт

GaN: 915-1260 МГц 600 Вт

Высокая импульсная мощность, размеры, вес, длительная мощность и кпд, может изготовляться под заказ потребителя

РЛС

РЛС управления воздушным движением, первичные обзорные РЛС L/S/C-диапазона, метеорологические РЛС, РЛС для получения изображений, РЛС с активной антенной решеткой (АФАР), радиолокационные станции сопровождения

Биполярные: 1,2-1,4ГГц 370Вт

GaN: 1,2-1,4 ГГц 600 Вт

GaN: 2,7-3,1 ГГц 400 Вт

GaN: 3,1-3,5 ГГц 280 Вт

GaN: 5,3-5,9 ГГц 110 Вт

Высокая импульсная мощность, размеры, вес, длительная мощность и кпд, большие объемы производства, выпуск по спецификации заказчика.

Приборы для мощных импульсных систем во всей линейки продуктов (драйверы)

Индустриальное, научное и медицинское оборудование

Полупроводниковое капитальное оборудование, линейные ускорители, оборудование для сварки, сушки и нагрева, медицинское оборудование

Биполярные: VHF/UHF/L и S-диапазон

GaN: UHF/L, S и C-диапазон

Длительная доступность биполярных транзисторов, поддержка узкоспециализированных применений, высокая мощность, размеры, вес, длительная мощность и кпд.

Связь

Системы спутниковой связи, оборудование каналов передачи данных, сухопутные подвижные радиосистемы, вещание

Биполярные: VHF/UHF/ L и S диапазон

GaN: UHF/L, S и C-диапазон

Длительная доступность биполярных транзисторов.

Для GaN — размеры, вес, мощность и кпд. Выпуск под требования заказчика и поддержка узкоспециализированных применений.

Оборона/космос

Первичные обзорные РЛС L/S/C-диапазона, РЛС с активной антенной решеткой (АФАР), передача телеметрии от ракет, станции РЭБ, РЛС для получения изображений, оборудование для защищенных каналов передачи данных, навигация и сопровождение

Биполярный: 1030/1090 МГц 1200 Вт

GaN: 1,2-1,4 ГГц 600 Вт

GaN: 2,7-2,9 ГГц 500 Вт

GaN: 3,1-3,5 ГГц 280 Вт

GaN: 5,3-5,9 ГГц 110 Вт

Высокая надежность и отбор для специальных применений (оборона, космос, флот), размеры, вес, мощность и кпд.

Длительная доступность, выпуск под требования заказчика

Кремниевые биполярные транзисторы (Si BJT) — диапазоны рабочих частот

Семейство кремниевых биполярных транзисторов (Si BJT)

Область применения	Авионика и передача данных	Первичный радар UHF диапазона	Первичный радар L-диапазона	Первичный радар S-диапазона 2,7-2,9 ГГц	Первичный радар S-диапазона 2,7-3,1 ГГц	HF/ВHF/UHF, связь, индустриально, научное и медицинское оборудование	Связь, линейные усилители	СВЧ оборудование	Радио- и телевещание	Общего применения / малосигнальные
Диапазон	L-диапазон	UHF	L-диапазон	S-диапазон	S-диапазон	HF/VHF/UHF	UHF/ L и S диапазон диапазона	L и S диапазон	VHF/UHF	VHF/UHF/ L и S диапазон
Режим	A и C	C	C	S-диапазон	S-диапазон	A/AB/ C	A и AB	C	A и AB	A/B/ C
Рабочая частота	960-1215 МГц	400-960 МГц	1200-1400 МГц	2,7 -2,9 ГГц	2,7-3,1 ГГц	2-960 МГц	100-2300 МГц	до 2470 МГц	225-960 МГц	100 -3000 МГц
Напряжение смещения	18-50 В	40-50 В	28-50 В	50 В	40-50 В	7,5-50 В	12,5-28 В	20-28 В	25 -28 В	6-28 В
Мощность	0.2 -1400 Вт	60-300 Вт	2-370 Вт	125-170 Вт	100-150 Вт	0,1-250 Вт	0.11-50 Вт	1-25 Вт	1-200 Вт	до 1,75 Вт
Усиление	5,2-10,9 дБ	9-9,6 дБ	6,5-9,7 дБ	8,5 дБ	8-8,3 дБ	4,5-18 дБ	6,5-12 дБ	7-9,5 дБ	7,5-11 дБ	до 17,5 дБ
Длительность импульса	1-32 мкс/ELM-режим/не ограничено	150-250 мкс	100-5000 мкс/не ограничено	100 мкс	50-200 мкс	не ограничено	не ограничено	не ограничено	не ограничено	не ограничено
Коэффициент заполнения	1-40%	5-10%	10-20%/100%	10%	4-10%	100%	100%	100%	100%	100%
кпд	25-50%	40-50%	45-55%	50%	40-50%	50-70%	до 50%	35-49%	до 55%	50% тип.

Кремниевые биполярные транзисторы (SI BJT) — это самые мощные выходные приборы для диапазона частот до 3,1ГГц
Полный диапазон подходящих драйверов для выходных каскадов
Кремниевая биполярная технология традиционно надежна
Высокая надежность и специальный отбор для оборонной, морской и космической области применений
Лидируют на рынке коммерческой Авионики
Возможен подбор для замены морально устаревших компонентов
Возможность изготовления по спецификации заказчика
Индивидуальный подход к каждому клиенту в части цены
Долговременная доступность для приобретения и использования

GaN транзисторы — диапазоны рабочих частот

Семейство GaN на SiC HEMT продуктов

Область применения	Общее применение SMT драйверы QFN серия	Общее применение Драйверы на керамике E-Серия	Авионика	Первичный радар L-диапазона со средней длительностью импульса	Первичный радар L-диапазон с большой длительностью импульса	Индустриальное научное и медицинское оборудование	Первичный радар S-диапазона	Первичный радар S-диапазона	Первичный радар S-диапазона	Первичный радар C-диапазона
Диапазон	VHF/UHF/ L и S диапазон	VHF/UHF/ L и S диапазон	L-диапазон	L-диапазон	L-диапазон	S-диапазон	S-диапазон	S-диапазон	S-диапазон	C-диапазон
Рабочая частота	до 3,5 ГГц	до 3,5 ГГц	960-1215 МГц	1,2-1,4 ГГц	1,2-1,4 ГГц	2,4-2,5 ГГц	2,7-2,9 ГГц	2,7-3,1 ГГц	3,1-3,5 ГГц	3,9-4,2/5,3-5,9 ГГц
Рабочее напряжение смещения	50 В	50 В	50 и 54 В	50 В	50 В	50 В	50 В	50 В	50 В	50 В
Мощность	15 -125 Вт	10-90 Вт	300-1200 Вт	100-800 Вт	100-500 Вт	10-300 Вт	150-500 Вт	30-400 Вт	120-280 Вт	70-120 Вт
Усиление	10-18,5 дБ	12-18,4 дБ	17-19 дБ	16-17,5 дБ	16-17 дБ	11-15 дБ	14-16,2 дБ	13,4-16,5 дБ	14-17,8 дБ	11-15,2 дБ
Длительность импульса	1000 мкс и до не ограничено	200-3000 мкс	20-128 мкс и ELM-режим	150-300 мкс	200-4000 мкс	не ограничено	100 мкс	200 мкс	200 мкс	200 мкс
Коэффициент заполнения	10% и до не ограничено	10-30%	2-10%	10%	20-30%	100%	10%	10%	10-20%	10%
кпд	50-70%	55-72%	55-75%	60-65%	52-65%	50-65%	64-69%	55-65%	58-65%	40-65%
Корпус	QFN 4×4 и 5×5 мм	55QQP и 55QQ	55KR и 55Q03	55KR и 55Q03	55KR	55QQ, QFN 4×4 55QP, 55Q03	55QP, 55KR, 55Q03	55QP, 55KR, 55Q03	55QP, 55KR, 55Q03	55 QP

QFN

4×4 мм и 5×5 мм

55QQP

60″ x 0,230″

Под фланец

55QQ

0,160″ x 0,550″

Под фланец

55QP

0,230″ х 0,800″

Под фланец

55KR

0,385″ x 1,010”

Под фланец

55Q03

0,385″ x 1,340″

Под фланец

GaN → высокое пробивное напряжение → работоспособен от Vdd до напряжения пробоя
GaN → работает на повышенных температурах перехода → высокая MTTF (средняя наработка на отказ)
GaN на SiC HEMT → Класс AB → широкий динамический диапазон Pout (выходная мощность) → превосходная линейность
GaN на SiC → наивысшая плотность мощности
GaN на SiC → наименьшая занимаемая площадь → уменьшает вес конечного оборудования
GaN на SiC → наивысшая мощность → лучший кпд

Имя
E-mail