MOSFET-драйвер STMicroelectronics RHFPM4424
Uпит. 4,5–18 В- Параллельная нагрузка до 9 А
- Мощность рассеивания <1,5 Вт
- Время спада и нарастания 30 нс
- Стойкость к радиации:
накопленная доза 300 крад (Si)
воздействие ТЗЧ 110 МэВ•см²/мг
Uпит. 4,5–18 В
Тел.: +7 (812) 320-12-65
194295, Санкт-Петербург, Ивана Фомина, д. 6
E-mail: info@vppit.ru
отправка...