ISL73040SEH – драйвер GaN транзисторов

Ключевые особенности:

• Широкий диапазон рабочих напряжений: 4.5 В … 13.2 В
• Уровень напряжения на логических входах: до 14.7 В (независимо от напряжения, подаваемого на V_DD)
  • Инвертирующие и не инвертирующие входы
• Оптимизирован для управления GaN транзисторами в режиме обогащения
  • Внутренне регулируемое напряжение затвора 4.5 В
  • Независимые выходы для регулирования скорости включения / выключения
• Диапазон рабочих температур: от -55 °C до +125 °C
• Стойкость к радиации:
  • Накопленная доза (LDR 0.01 рад (Si)/с): 75 крад (Si)
  • Воздействие ТЗЧ: 86 МэВ*см²/мг
• Компактный SMD корпус 6х6мм

Datasheet