Задать вопрос

Ваше имя (обязательно)

Ваш e-mail (обязательно)

Ваш вопрос (обязательно)

Пройдите проверку*

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

0 позиций в запросе!   Отправить?

MAGX-101214-500 – новый силовой GaN-on-SiC HEMT-транзистор L-диапазона для применения в составе радиолокационных систем

13 июня, 2018

Компания Macom представила силовой GaN-on-SiC транзистор MAGX-101214-500 с высокой подвижностью электронов оптимизированный для применения в импульсных радиолокаторах L-диапазона, в частности для ОРЛ-А.

Транзистор обеспечивает выходную мощность 500 Вт и КПД свыше 70% при напряжении питания 50 В.

HEMT GaN-on-SiC транзисторы отличаются не только высокой мощностью и КПД, но и высокими рабочими частотами по сравнению с LDMOS-транзисторами. Новые транзисторы поставляются в компактном керамическом корпусе.

Основные параметры:

  • рабочие диапазон частот: 1200-1400 МГц;
  • выходная пиковая мощность: 500 Вт;
  • коэффициент усиления: 16 дБ;
  • напряжение питания: 50 В.

Транзисторы доступны в двух исполнениях:

Доступны образцы и отладочные платы.

Новый силовой GaN-on-SiC HEMT-транзистор MAGX-101214-500