MAGX-101214-500 – новый силовой GaN-on-SiC HEMT-транзистор L-диапазона для применения в составе радиолокационных систем
13 июня, 2018Компания Macom представила силовой GaN-on-SiC транзистор MAGX-101214-500 с высокой подвижностью электронов оптимизированный для применения в импульсных радиолокаторах L-диапазона, в частности для ОРЛ-А.
Транзистор обеспечивает выходную мощность 500 Вт и КПД свыше 70% при напряжении питания 50 В.
HEMT GaN-on-SiC транзисторы отличаются не только высокой мощностью и КПД, но и высокими рабочими частотами по сравнению с LDMOS-транзисторами. Новые транзисторы поставляются в компактном керамическом корпусе.
Основные параметры:
- рабочие диапазон частот: 1200-1400 МГц;
- выходная пиковая мощность: 500 Вт;
- коэффициент усиления: 16 дБ;
- напряжение питания: 50 В.
Транзисторы доступны в двух исполнениях:
Доступны образцы и отладочные платы.